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한화큐셀 ‘솔라 허브’ 카터스빌 신 공장 가동 본격 개시한화솔루션 큐셀부문(이하 한화큐셀)이 미국 조지아주 카터스빌 공장의 모듈 생산라인 건설을 4월까지 모두 완료하고 본격적인 제품 생산에 돌입했다. 이로써 한화큐셀은 지난해 달튼 공장 증설에 이어 카터스빌 공장의 모듈 생산라인 신설까지 순조롭게 마무리하며 미국 최대의 실리콘 태양광 모듈 제조기업으로 올라섰다. 카터스빌 공장은 한화큐셀의 미국 내 태양광 통합 생산단지 ‘솔라 허브’의 한 축으로, 연간 3.3GW(기가와트) 규모의 태양광 모듈 제조능력을 보유하게 됐다. 3월까지 시운전을 마치고 4월부터 본격적인 모듈 상업 생산에 돌입한 카터스빌 공장은 내년부터는 연간 3.3GW 규모의 잉곳·웨이퍼·셀 상업 생산에 들어갈 계획이다. 솔라 허브의 또 다른 축인 달튼 공장은 지난해 말 증설을 완료하고 기존 연간 1.7GW였던 모듈 생산능력을 연간 5.1GW로 3배 늘렸다. 뒤이어 카터스빌 공장 모듈 라인이 완공되며 한화큐셀의 미국 내 모듈 생산능력은 총 연간 8.4GW로 늘어났다. 8.4GW는 미국의 약 130만 가구가 1년 동안 사용할 수 있는 전력을 생산할 수 있는 규모다. 또한 내년부터 카터스빌 공장의 모든 생산라인이 본격적으로 가동되면 한화큐셀은 북미 지역에서 핵심적인 태양광 밸류체인을 모두 제조하는 유일한 기업이 된다. 미국 공장 신·증설과 모듈 효율 증가에 힘입어, 한화큐셀의 글로벌 연간 생산 능력은 내년 기준으로 잉곳·웨이퍼 3.3GW, 셀 12.2GW, 모듈 11.2GW가 될 예정이다. 한편 한화큐셀은 미국 정부가 자국 재생에너지 산업을 지원하기 위해 시행한 IRA(인플레이션감축법)에 따라 AMPC(첨단세액공제) 등 혜택을 받고 있는데, 카터스빌 공장이 올해만 약 2GW 규모의 모듈을 생산하게 되면서 이에 따른 세액공제 혜택이 연 내 1억4000만달러(한화 약 1860억원) 추가될 것으로 예상된다. 내년부터 잉곳·웨이퍼·셀·모듈을 모두 미국 내에서 제조하기 시작하면 세액공제 혜택은 더 늘어나 연간 1조원에 달할 것으로 전망되며 밸류체인 별 생산라인이 집적화되며 물류비 절감, 효율성 제고 등의 효과도 기대된다. 또한 한화큐셀은 REC실리콘이 미국 워싱턴 주 모지스레이크 공장에서 친환경 수력 에너지로 제조한 폴리실리콘을 솔라 허브에 투입, 밸류체인 전부를 미국 내에서 조달함으로써 IRA 혜택을 극대화하는 계획을 검토하고 있다. 한화큐셀이 사업 부문으로 속해있는 한화솔루션은 2022년 REC실리콘의 지분을 인수한 바 있으며, 지난해 9월에는 친환경 폴리실리콘을 10년 간 공급받는 내용의 장기 구매계약을 체결했다. 이 밖에도 한화큐셀은 한화솔루션의 자회사인 한화첨단소재가 카터스빌 공장 인근에 건설하고 있는 공장에서 EVA시트를 공급받을 예정이다. 한화큐셀 이구영 대표이사는 “카터스빌 공장의 첫 모듈 상업생산이 성공적으로 진행되는 등 한화큐셀의 태양광 통합 생산단지인 ‘솔라 허브’는 순조롭게 구축되는 중”이라며 “한화큐셀은 제조 능력 증대와 재생에너지 사업 영역 확장을 동시에 꾀하며 미국을 포함한 주요 전략 시장에서의 선도적 입지를 강화해나갈 것”이라고 말했다. 웹사이트: https://qcells.com/kr
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한화큐셀, 2024년 국제그린에너지엑스포 참여한화솔루션 큐셀부문(이하 한화큐셀)이 4월 24일부터 26일까지 3일간 대구 엑스코(EXCO)에서 열리는 ‘제21회 국제그린에너지엑스포’에 참가한다. 국제그린에너지엑스포는 경상북도와 대구광역시가 주최하고 한국신·재생에너지협회를 포함한 4개 협회가 주관하는 한국 최대 규모의 신·재생에너지 전시회로, 총 300개사가 참가하고 3만명의 참관객이 모일 것으로 예상된다. 세계 시장을 무대로 토털 에너지 솔루션 기업으로 변모하고 있는 한화큐셀은 국내에서 주력하고 있는 사업 영역을 보다 집중적으로 소개한다. 한화큐셀의 부스는 상업용 모듈 존, 유휴부지 모듈 존, 인버터 존, 차세대 셀 존, 그리고 에너지 컨설팅 존 등 총 5개의 테마로 이뤄진다. 올해 부스에는 한화큐셀의 대표 제품인 고효율 태양광 모듈이 종류와 설치 유형별로 전진 배치된다. 먼저 상업용 모듈 존에는 지난해 미국에 이어 올해부터는 한국, 유럽에서도 판매를 개시한 ‘N타입 탑콘(TOPCon)’모듈 신제품인 ‘큐트론(Q.TRON) G2’ 모듈이 전시된다. 고품질의 N타입 웨이퍼에 한화큐셀의 독자 기술을 적용해 제조한 큐트론 시리즈는 기존 ‘큐피크 듀오 지(Q.PEAK DUO Z)’ 시리즈보다 약 1%p 더 높은 발전효율을 지녔다. 유휴부지 모듈 존에는 △영농형태양광 △방음벽태양광 △BIPV 모듈이 선을 보인다. 농경과 태양광 발전을 병행하는 솔루션인 영농형태양광도 실제 설치된 모습을 본 따 전시된다. 영농형태양광은 2016년 이래로 수차례 시범사업을 거치며 뛰어난 경제성과 실현가능성을 증명한 바 있다. 방음벽태양광 모듈은 방음 기능과 빛 흡수 기능을 모두 지닌 모듈로, 도로나 철도 옆에 설치해 소음·빛 공해를 줄이면서 친환경 전력도 생산하는 일석이조의 솔루션이다. 올해 정식 출시를 앞둔 BIPV(건물일체형태양광) 모듈 ARTSUN(아트선) 제품도 빌딩 외벽에 설치된 모습으로 구현될 예정이다. 기존 실리콘 셀보다 높은 이론한계효율을 가져 양산에 성공할 경우 사업성과 잠재력이 뛰어나다고 평가받는 ‘페로브스카이트-실리콘 탠덤 셀(이하 탠덤 셀)’은 차세대 셀 존에 설치된다. 한화큐셀은 소면적 기준으로 최대효율 29.9% 기록을 검증받은 탠덤 셀 시제품을 전시하고 그 구동 원리와 뛰어난 효율 잠재력을 시각적으로 표현해 관람객들의 이해를 돕는다. 한화큐셀은 상업화가 가능한 넓은 면적과 높은 효율의 ‘탠덤 셀’을 2026년 말 양산 목표로 개발 중이다. 인버터 존에는 높은 내구성과 성능을 가졌을 뿐 아니라 다양한 환경에서 용이하게 설치할 수 있는 한화큐셀의 인버터(전력변환장치) 큐볼트(Q.VOLT) 3종이 전시된다. 큐볼트는 한화큐셀이 국내에서 판매하고 있는 대표적인 에너지 시스템 제품으로, 모듈에서 생산된 전기를 저장 및 사용하기 적합한 전류로 변환하는 역할을 한다. 특히 한화큐셀은 RE100 달성을 위해 재생에너지가 필요한 고객에게 컨설팅·금융·시공·전력중개·유지보수 서비스를 원스톱으로 제공하는 ‘에너지 컨설팅’ 사업 모델을 올해 처음으로 전시회에서 선보인다. 참관객들은 재생에너지를 조달하기 위한 모든 솔루션을 제공하는 전문 기업으로서 한화큐셀의 차별화된 역량과 다층적인 서비스를 나타낸 다이어그램을 부스 전면에서 확인할 수 있다. 한화큐셀 유재열 한국사업부장은 “국내 최대 규모의 신·재생에너지 전시회에 방문하는 관람객들은 한화큐셀의 우수한 제품과 탁월한 경쟁력을 실감할 수 있을 것”이라며 “한화큐셀은 앞으로 더욱 확장된 서비스와 뛰어난 솔루션을 통해 친환경 에너지를 사용하려는 고객들과의 접점을 확대할 예정이다”라고 밝혔다. 한편 한화큐셀 부스 전면에는 큐브 형태로 제작된 LED 구조물에 토털 에너지 솔루션 프로바이더로 탈바꿈하고 있는 한화큐셀의 발걸음과 비전을 형상화한 영상이 상영된다. 참관객들은 친환경 에너지의 생산, 이용, 판매를 아우르는 한화큐셀의 다채로운 사업 포트폴리오가 부스 전체에 그라데이션 컬러로 표현된 모습을 확인할 수 있다. 또 한화큐셀은 부스를 찾은 모든 방문객에게 즐거운 전시 경험을 선사하기 위해 무료로 캐리커처 드로잉 (caricature drawing) 이벤트를 진행한다. 또한 한화큐셀은 지속가능한 전시 문화 조성에 기여하기 위해 부스에 사용한 패브릭을 업사이클링(Upcycling) 업체인 ‘큐클리프’에 기부해 폐기물을 최소화할 방침이다. 웹사이트: https://qcells.com/kr/
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에피닉스, Titanium Ti375 샘플 출하… 메인스트림 에지 인텔리전스 혁신 실현에피닉스의 공동 설립자, 최고경영자 겸 사장인 새미 청(Sammy Cheung)은 “오늘날 애플리케이션의 확산과 다양성으로 원격 에지에 배포할 수 있는 설치 공간에 고성능 컴퓨팅과 저전력을 담아야 하는 수요는 끝없이 증가하고 있다”며 “티타늄 FPGA 제품군, 특히 Ti375는 이러한 요구 사항을 충족할 수 있는 독보적인 제품으로, 절대적인 게임 체인저라고 할 수 있다”고 전했다.Ti375는 첨단 16nm 공정 노드에서 제조된다. 티타늄 FPGA는 3만5000~100만 개의 논리 소자에 걸친 소형 패키지 설치 공간에 담은 고밀도, 저전력, 고성능 컴퓨팅을 통해 성능과 효율성을 제공한다. 375K 논리 소자 용량을 갖춘 Ti375의 특징은 다음과 같다. 1GHz 이상에서 Linux 지원 MMU, FPU 및 사용자 정의 명령어 기능을 지원하는 쿼드 코어 Hardened RISC-V 블록△쿼드 SerDes 트랜시버로 다양한 프로토콜(PCIe® 4.0, 이더넷 SGMII, 이더넷 10GBase-KR 프로토콜, PMA 다이렉트 모드 등 포함)을 사용하여 최대 16Gbps의 데이터 전송률 지원△SRIOV(단일 루트 I/O 가상화, Single Root I/O Virtualization)로 루트 컴플렉스 및 엔드 포인트를 지원하는 듀얼 임베디드 PCIe Gen4x4 컨트롤러와 외부 메모리에 대한 고대역폭 액세스를 위한 듀얼 Hardened LPDDR4/4X DRAM 컨트롤러카메라 제조업체 IDS 이미징 디벨롭먼트 시스템스(Imaging Development Systems GmbH)의 이사인 얀 하르트만(Jan Hartmann)은 “티타늄 FPGA 제품군은 이미징 시장에서 새로운 가치 기준을 세웠다”며 “전력과 성능 면에서 우수한 제품 덕분에 우리는 혁신에 성공했고 카메라 플랫폼으로 리더십 위치를 확장할 수 있었다”고 말했다. 이어 “Ti375는 작고 저전력 설치 공간에서 고속 SerDes와 컴퓨팅 성능을 제공하여 가치 기준을 다시 한번 한 차원 높였다. 에피닉스는 혁신적인 아키텍처의 약속을 계속 이행하고 있다”고 덧붙였다.티타늄 Ti375 FPGA 솔루션은 머신 비전, 비디오 브리지, 자동차 및 통신을 비롯한 다양한 애플리케이션을 지원한다.에피닉스의 마케팅 부사장인 마크 올리버(Mark Oliver)는 “티타늄 Ti375는 맞춤형 실리콘을 쓸모 없게 만들며, AI에 사용되는 빠르게 발전 중인 모델에 이상적이고, 에지 인텔리전스에 대한 요구 사항을 충족하는 데 중요한 역할을 할 것”이라면서 “Ti375는 독보적인 전력, 성능, 크기의 조합을 제공함으로써 실험실부터 생산 현장, 그리고 그 너머까지 에지 AI를 지원할 것”이라고 전했다. 내일 독일 뉘른베르크에서 시작하는 임베디드 월드 전시회 및 콘퍼런스(embedded world Exhibition & Conference)에서 에피닉스 담당자가 티타늄 Ti375의 라이브 데모를 진행할 예정이다. 4번 홀의 4-549번 부스에서 에피닉스를 방문하면 된다. 웹사이트: http://www.efinixinc.com
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인피니언, CoolSiC™ MOSFET 2000V 제품군 출시인피니언 테크놀로지스는 TO-247PLUS-4-HCC 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC™ MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 밝혔다. 신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압(breakdown voltage)을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스로, 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 이상적이다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션(hard commutation)을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다. 또한 XT 접합 기술을 적용해 최고 수준의 열 성능을 제공하고, 습기에 대한 내성이 뛰어나다. 웹사이트: http://www.infineon.com
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인피니언, 70% 더 낮은 전력 빠른 스위칭 제공 솔리드 스테이트 아이솔레이터 출시인피니언 테크놀로지스는 새로운 솔리드 스테이트 아이솔레이터 제품군을 출시한다고 밝혔다. 신제품은 광학 기반의 솔리드 스테이트 릴레이(SSR)에서 제공되지 않는 보호 기능을 사용해서 더 빠르고 안정적인 회로 스위칭을 달성한다. 코어리스 트랜스포머 기술을 적용하고 전류 및 온도 보호 기능으로, 20배 더 높은 에너지 전송을 지원해 신뢰성을 높이고 소유 비용을 낮춘다. 새로운 솔리드 스테이트 아이솔레이터는 인피니언의 MOS 제어 전력 트랜지스터인 OptiMOS™ 및 CoolMOS™의 게이트를 구동해, SCR(실리콘 제어 정류기)나 트라이액(Triac) 스위치를 사용한 솔리드 스테이트 릴레이 대비 전력 손실을 최대 70%까지 줄인다. 인피니언의 솔리드 스테이트 아이솔레이터는 1000V 및 100A 이상의 부하를 제어할 수 있는 맞춤형 솔리드 스테이트 릴레이를 가능하게 한다. 코어리스 트랜스포머 기술은 향상된 성능과 신뢰성으로 첨단 배터리 관리, 에너지 저장, 신재생 에너지 시스템, 산업용 및 빌딩 자동화 시스템 애플리케이션에 적합하다. 인피니언의 솔리드 스테이트 아이솔레이터 드라이버를 사용해서 엔지니어들이 전자 및 전기기계 시스템의 효율을 더욱 높일 수 있게 됐다. 인피니언 테크놀로지스 산업용 전력 사업부의 다비데 지아코미니(Davide Giacomini) 마케팅 디렉터는 “솔리드 스테이트 아이솔레이터와 릴레이에 코어리스 트랜스포머를 구현한 것은 전력 엔지니어들에게 중요한 변화가 될 것”이라며 “이 기술은 기존의 광학 제어 솔루션 대비 50배 낮은 RDS(on)를 제공한다. 따라서 고전압 및 고전력 애플리케이션에 사용할 수 있다”고 말했다. 아이솔레이터 드라이버를 인피니언의 CoolMOS S7 스위치와 사용하면 광학 구동 솔리드 스테이트 솔루션 대비 저항이 훨씬 낮은 스위칭 디자인이 가능하다. 이것은 시스템 디자인의 수명을 연장하고 소유 비용을 낮춘다. 또한 모든 솔리드 스테이트 아이솔레이터와 마찬가지로 40% 낮은 턴온 전력과 이동 부품 제거로 인한 신뢰성 향상 등 전자기 릴레이 대비 훨씬 뛰어난 성능을 제공한다. 웹사이트: http://www.infineon.com
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인피니언, 고성능 시스템을 위한 차세대 실리콘 카바이드 기술 ‘CoolSiC™ MOSFET G2’ 출시인피니언 테크놀로지스가 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC™ MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고, 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 따라서 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮출 수 있어 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있다. 신재생에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다. 고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. CoolSiC G2 기반의 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합해 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 해 탈탄소화에 기여한다. 웹사이트: http://www.infineon.com
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과기정통부, ‘AI 일상화, SW도 이제 SaaS다!’현장간담회 개최과학기술정보통신부,강도현 2차관은 3월 5일(화), 더존비즈온 을지사옥에서 ‘인공지능(이하 ’AI’) 일상화, 소프트웨어(이하 ‘SW’)도 이제 서비스형SW(Software as a Service, 이하 ‘SaaS’)다!’를 주제로 SW 대표 기업들과 만남으로서 현장간담회의 첫 포문을 열었다. 취임 후 첫 현장간담회로 SW 업계를 선택한 것은 현재 모든 산업 분야에서 SW 중심의 혁신(Software Defined – X)이 이루어지고 있는 만큼 대한민국 디지털 대도약을 위해 SW 경쟁력 강화가 중요하다는 점을 강조한 것으로 풀이된다.특히 AI 일상화 시대 디지털 서비스 이용 환경이 ‘SaaS 활용’ 형태로 진화하는 패러다임 변화에 대응하여 업계와 함께 최근 동향을 살펴보고 우리 SW 산업의 대변혁을 위한 SaaS 생태계 활성화 방안 등을 논의하기 위해 마련되었다. 이번 간담회에는 과기정통부 강도현 2차관을 비롯하여, SW업계를 대표하여 한국소프트웨어산업협회 조준희 회장과 더존비즈온, 메가존클라우드, 센드버드, 포티투마루, 와이즈넛, 비즈니스캔버스, 사이냅소프트, 아콘소프트, 클라썸 등 국내 주요 SW기업 대표 및 임원 등이 참석하였다. 본격적인 토론에 앞서 AI일상화 시대 SaaS 기반 혁신 사례를 공유하고자 더존비즈온에서 ‘AI+SaaS 융합을 통한 기업의 AX(AI Transformation) 활용사례’를 발표하였고, SaaS추진협의회 회장사를 맡고 있는 메가존클라우드에서 ‘최근 SaaS 산업 동향’을, 실리콘밸리 등 해외시장에서 활약하고 있는 센드버드에서 ‘SaaS를 통한 글로벌 진출 사례’를 소개하였다. 이어진 토론에서는 SaaS 전환 가속화를 위한 정책적 지원과 공공분야의 SaaS 이용 활성화를 위한 제도적 개선 방안, 국내 유망SW의 SaaS를 통한 해외진출 촉진방안 등이 다양하게 논의되었다.과기정통부 강도현 차관은 “AI 혁명의 시대, 이제 SW도 SaaS로 전환하지 않고는 생존이 어려울 수 있다.”고 언급하며, “국내 SW기업이 해외시장으로 진출하기 위해서는 SaaS 전환이 필수적이며, 기존 구축형(SI)의 한계를 극복하고 우리 SW기업의 경쟁력을 제고하는 발판이 될 것”이라고 강조하였다. 아울러 “정부도 대한민국 SW산업의 미래가 SaaS에 있다고 생각하고 올해 ‘SaaS 혁신펀드’를 새롭게 조성하는 등 SaaS 육성 및 기존 SW기업의 SaaS 전환을 위한 다양한 지원을 추진중”이라고 밝히고, “SaaS추진협의회가 민간의 구심점으로서 역할을 해주시기를 기대한다.”면서, “산업 현장의 의견을 반영하여 우리 SW산업이 SaaS 중심으로 재편하여 전 세계로 뻗어나갈 수 있도록 적극 지원할 것”을 다짐하였다. 한편 과기정통부는 올해를 SW산업이 SaaS로 새롭게 도약하는 한해로 생각하고 SaaS 등 SW산업 육성을 위해 ’24년 7,308억원 규모의 예산을 투자할 계획이다.올해 신규 추진 예정인 ‘SaaS혁신 펀드(200억원)’ 사업을 포함하여 ’24년 1,219억원 규모를 클라우드 산업 육성에 투자하고, SW고성장 클럽(’24, 180억원), 글로벌 마켓 플레이스 진입 지원(’24, 25억원) 사업 등을 통해 유망 SW기업의 성장과 글로벌 진출도 적극 지원해 나갈 예정이다.
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삼성전자, 36GB HBM3E 12H D램 개발삼성전자가 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램 개발에 성공하고 고용량 HBM 시장 선점에 나선다. 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다.HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 ‘Advanced TC NCF(Thermal Compression Non Conductive Film, 열 압착 비전도성 접착 필름)’ 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다. ‘Advanced TC NCF’ 기술을 적용하면 HBM 적층 수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 ‘휘어짐 현상’을 최소화할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다. 삼성전자는 NCF 소재 두께도 지속적으로 낮춤으로써, 업계 최소 칩 간 간격인 ‘7마이크로미터(um)’를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8H 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다.특히, 칩과 칩 사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용했다. 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다. 또 삼성전자는 NCF로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈를 다양하게 하면서 동시에 공극(Void) 없이 적층하는 업계 최고 수준의 기술력도 선보였다.삼성전자가 개발에 성공한 HBM3E 12H는 AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에 최고의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 특히, 성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 GPU 사용량이 줄어 기업들이 총소유비용(TCO, Total Cost of Ownership)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있는 것도 큰 장점이다.예를 들어 서버 시스템에 HBM3E 12H를 적용하면 HBM3 8H를 탑재할 때보다 평균 34% AI 학습 훈련 속도 향상이 가능하며, 추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대된다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 배용철 부사장은 “삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다”며 “앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것”이라고 밝혔다. 웹사이트: http://www.samsung.com/sec
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베렉스, 50-5000MHz 광대역 Flat Gain 증폭기 ‘BBA31’ 개발베렉스가 GaAs E-pHEMT 기술로 50-5000MHz 대역에서 LTE/ 5G 통신에 적합한 고 선형성 증폭기 BBA31을 출시했다. BBA31은 matching 소자를 최소화해 사용할 수 있도록 내부에 50ohm으로 matching돼 있고, ROHS2 규정을 만족시키며 DFN 8L 2x2mm2 surface mounting package를 사용해 소형화했다. 베렉스 마케팅팀 신헌수 부장은 “BBA31는 LTE, 5G NR 통신을 목표로 소형으로 개발됐으며 5V에서 사용 가능하다”고 설명했다. 5V 사용 시 100MHz에서 특성은 15dB 이득, 40dBm 출력 선형성 OIP3, 21.8dBm 출력 P1, -50 dBc 특성 만족은 13.4dBm LTE 20MHz ACLR을 보이고, 3500MHz에서 특성은 14.5dB 이득, 37dBm 출력 선형성 OIP3, 20.9dBm 출력 P1, -50 dBc 특성 만족은 10.6dBm 5GNR ACLR을 보인다. 현재는 5G용 기지국 및 중계기용 부품이 수입 의존도가 높으나, 이번 국산화 개발을 통해 통신 시장에서 국산화가 확대될 것으로 기대된다. 베렉스는 RF용 갈륨비소, 갈륨질소, 실리콘-게르마니움 및 CMOS 기술을 이용해 통신용 부품을 개발해 세계 정상급 RF 반도체(Semiconductor) 회사로 진입 목표를 갖고 있다. 웹사이트: https://www.berex.com
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오토실리콘, 전기차 및 ESS용 24채널 배터리 진단 전용 칩 출시오토실리콘은 지난해 3월 세계 최초로 14채널 BDIC (Battery Diagnosis IC)를 출시한데 이어 올해 1월 xEV (Electrical Vehicle) 및 ESS (Energy Storage System)용 대용량 배터리 셀에 직접 적용 가능한 24채널 BDIC를 출시했다. 오토실리콘의 BDIC 칩셋은 EIS (Electro-Impedance Spectroscopy) 기술 기반으로 최대 24개 배터리셀의 AC 임피던스를 측정할 수 있으며 배터리 모듈 및 팩 단위로도 확장 적용될 수 있다. EIS 기술은 배터리 상태에 따라 주파수별로 변하는 AC 임피던스를 측정해 배터리 내부 상태의 정밀 분석과 진단에 활용되고 있다. 오토실리콘이 출시한 BDIC는 EIS 장비 대비 동작 전류, 임피던스 측정 정밀도와 부피를 획기적으로 개선했으며, 수십 대의 EIS 장비를 하나의 칩으로 대체할 수 있다. 최근 전기차 및 에너지 저장장치(xEV/ESS) 업계에서는 배터리 불량으로 인한 클레임 청구 건수가 증가하고 있으나 정밀 분석을 위해 배터리 팩, 모듈을 해체하는 과정에서 막대한 비용과 시간이 소요되고 있으며, 불량 요인을 특정하는 것에 기술적 한계가 있다. 지금까지 배터리 셀의 AC 임피던스 측정은 큰 부피를 차지하는 고가의 EIS 장비로만 할 수 있어 전기차 및 에너지 저장장치 시스템의 온라인 적용에는 한계가 있었다. 따라서 BDIC를 사용해 배터리 관리 시스템(BMS, Battery Management System)에 적용하게 되면 배터리의 AC 임피던스 정보를 온라인으로 모니터링이 가능해 출하된 모든 배터리 셀의 변화 상태를 지속적으로 모니터링 할 수 있어 클레임 발생 시에도 누적된 배터리 데이터의 온라인 분석이 가능하다. 또한 배터리 내부의 특정 물질의 불량까지 분석할 수 있어 배터리 불량 요인 분석에 활용할 수 있는 장점이 있다. 최근 일부 배터리 제조 업체 및 배터리 모듈·팩 제조사에서는 입출고 품질 검사를 위한 솔루션 제작에 EIS 기술 도입을 검토하고 있다. 이를 이용해 배터리 품질 검사에 새로운 기준을 도입하면 보다 정확한 배터리 양·불량 판정이 가능해질 것으로 기대된다. 또한 연료전지의 경우 측정된 AC 임피던스로 수소연료전지 내부의 상태를 파악하고 진단해 연료전지 스택 수리 및 교체 비용을 절감할 수 있을 것으로 기대되고 있다. 2026년부터 미국 일부 주에서 시행될 예정인 전기차 대상의 규제로 인해 전기차 제조사들은 일정 기간 배터리의 SoH (State of Health)를 보증하고 차량의 정확한 SoH 정보를 수집해야 하고, 유럽연합에서는 2027년부터 시행될 배터리 여권 제도 도입으로 전기차와 산업용 배터리에 대해 고유의 식별자를 사용해 각 배터리의 정보, 환경 영향, 전기화학적 성능, 내구성, SoH와 같은 정보를 관리하도록 해 배터리의 정보를 추적할 수 있도록 할 예정이다. 이를 대응하기 위해 일부 제조사에서는 EIS 기술 도입을 통해 보다 많은 배터리 셀 내부 상태 데이터 수집을 검토하고 있다. 이와 더불어 오토실리콘은 BDIC를 이용해 별도의 온도 센서 없이 개별 셀의 내부 온도를 추정하는 알고리즘과 소프트웨어를 동시에 개발했으며, 이를 이용해 기존의 NTC 온도 센서로 실현하기 어려웠던 팩 내부의 모든 배터리 셀의 개별 온도 관리를 효율적으로 할 수 있다. 따라서 EIS 기술 기반의 고도의 집적화된 BDIC 칩셋 출시로 시스템 온라인 적용이 가능해짐에 따라 클라우드 BMS 구축에 적합하며 다양한 목적에 따라 배터리 생애 주기의 전 사이클에서 효율적인 배터리 관리가 가능할 것으로 기대된다. 현재 오토실리콘의 24채널 BDIC 칩셋은 국내외 전기차 및 ESS, 배터리 셀·모듈 제조사 대상으로 프로모션 중이며 2024년 6월부터 양산 예정이다. 웹사이트: https://www.autosilicon.com